一、Dy_2O_3掺杂对(Ba,Sr)TiO_3基高压电容器陶瓷性能的影响（论文文献综述）
陈磊[1]（2017）在《化合物掺杂BST基电容器陶瓷介电性能研究》文中研究表明随着电子技术飞速发展,对于介电材料的介电性能（如介电常数、介电损耗、容温特性等）要求越来越高,（Ba,Sr）TiO3基介电陶瓷材料作为常用的电容器陶瓷材料,纯的BST介电材料的介电常数随温度变化较大,为满足应用要求必须对其进行掺杂改性。本文通过在BST中掺杂几种典型的离子化合物,以BST为主晶相基体,采用传统固相法制备工艺,借助XRD,SEM,高低温介电温谱仪,LCR电桥等测试分析方法,分别研究在最佳烧结温度下,不同离子化合物的掺杂量对BST基电容器陶瓷介电性能的影响。研究发现:（1）化合物BaZrO3、BaSnO3、SrZrO3掺杂对BST陶瓷有相似的改性作用。随着掺杂量的增加,试样的居里点均逐渐向负温方向移动,居里峰介电常数先增大后减小。BaZrO3和BaSnO3掺杂,BST陶瓷的介电常数均先增大后减小,介电损耗先减小后增大。当BaZrO3掺杂量为6.0wt.%时,BST介电性能最佳,介电常数最大,为14479;介电损耗最小,为0.016;容温变化率为+19.97%-79.79%。当BaSnO3掺杂量为1.2wt.%时,BST介电性能最佳,介电常数最大,为14195;介电损耗最小,为0.0011。SrZrO3掺杂,试样介电常数逐渐减小,介电损耗先减小后增大。当SrZrO3掺杂量为6.0wt.%时,BST陶瓷的介电损耗最小,为0.0168。（2）CaSnO3掺杂,BST陶瓷的介电常数先减小后增大又再减小,介电损耗先减小后增大,居里点逐渐向负温方向移动,居里峰发生弥散。当CaSnO3掺杂量为6.0wt.%时,BST介电性能最佳,介电常数为4963;介电损耗最小,为0.0069;容温变化率为+73.81%,-43.56%。（3）Bi4Ti3O12掺杂,BST陶瓷的介电常数逐渐减小,介电损耗先减小后增大,居里点逐渐向负温方向移动,介电峰逐渐压低并展宽。当Bi4Ti3O12掺杂量为1.6wt.%时,BST介电性能较好,介电损耗最小,为0.0068;介电常数为3744,容温变化率为+1.70%-44.61%。Bi2（SnO3）3掺杂,BST陶瓷的介电常数先增大后减小再又增大然后减小,介电损耗先减小后增大再减小。当Bi2（SnO3）3掺杂量为2.5wt.%时,BST样品介电损耗最低,为0.0124;此时耐压最大为5.8KV/mm,介电常数为4171,电阻率为11.83×1010?·㎝。（4）La2（ZrO3）3掺杂,随着掺杂量的增加,La3+在晶界偏析,晶粒得到细化。BST陶瓷的介电常数先大幅下降,后有小幅提升,之后又再下降;介电损耗先减小后增大再减小。La2（ZrO3）3掺杂具有明显的移峰和压峰作用,居里峰随掺杂量增加弥散效应显着。（5）MgNb2O6掺杂,BST陶瓷的介电常数逐渐减小,介电损耗先增加后减小再增加,介电居里峰得到明显的压抑和展宽。MgNb2O6掺杂过程中,形成了SrNbO6等杂相,容温曲线出现双峰现象。掺杂试样容温特性较佳,最小容温变化率为+0.17%-28.19%。
焦更生[2]（2016）在《钛酸钡介电陶瓷制备方法及其掺杂改性研究进展》文中研究说明钛酸钡是一种重要的新型功能陶瓷材料,具备很高的介电常数和折射率常数,良好的热稳定性和压电性能,可以用来制造光电和介电材料。为了提高钛酸钡在室温下的介电常数使其得到广泛的应用,通常在钛酸钡中加入一些其他物质对其进行改性研究。在对钛酸钡材料常用的制备方法介绍的基础上,结合研究实际,重点综述了其掺杂改性的研究现状。只有不断开发钛酸钡材料新的制备方法并对其进行改性研究,才能使其性能不断提高,应用更为广泛。
张晨,徐新进,肖佳楠[3]（2012）在《Nd2O3掺杂钛酸锶钡基陶瓷介电性能及微观形貌研究》文中提出采用传统固相法制备了Nd2O3掺杂（Ba0.7Sr0.3）TiO3基电容器介质陶瓷,研究了不同Nd2O3掺杂含量以及烧结时间对体系微观形貌及介电性能的影响.结果表明:适量Nd2O3掺杂有利于提高体系室温相对介电常数并降低室温介电损耗且随Nd2O3添加量增大,（Ba0.7Sr0.3）TiO3基陶瓷部分晶粒异常长大.（Ba0.7Sr0.3）TiO3基陶瓷居里温度随Nd2O3添加量增大向低温方向移动.随着烧结时间延长,Nd2O3改性的（Ba0.7Sr0.3）TiO3基陶瓷平均粒径显着增大,体系室温相对介电常数显着提高,而室温介电损耗降低.由于粒界缓冲作用减弱,（Ba0.7Sr0.3）TiO3基陶瓷相对介电常数及介电损耗的温度稳定性随烧结时间增长有所降低.
徐世国[4]（2011）在《无铅电容器陶瓷介质材料掺杂改性研究》文中研究表明本文以具有钙钛矿结构的无铅电容器陶瓷介质材料（BaSr）（SnTi）O3为研究对象,通过掺杂对其进行改性,分析了掺杂后材料的晶体结构、微观形貌和介电性能,探寻具有高介电常数、低介电常数温度变化率的陶瓷介质材料。主要内容包括:研究了Bi3+、Na+和Mg2+对(Ba0.68Sr0.32)(Ti0.99Sn0.01)O3陶瓷介电性能的影响。Bi3+掺杂后,陶瓷试样居里峰(εmax降低,介电损耗明显增大。对含有Bi3+的(Ba0.68Sr0.311Bi0.006)(Ti0.99Sn0.01)O3陶瓷进行Mg2+和Na+掺杂改性:Mg2+掺杂后,陶瓷试样介电常数明显降低,介电常数温度系数得到改善;Na+掺杂后,陶瓷试样中出现三方相晶格畸变,居里峰(εmax降低,介电损耗得到明显改善。随后,对含有Bi3+和Na+的(Ba0.677Sr0.311Bi0.006)Na0.006(Ti0.99Sn0.01)O3陶瓷进行Mg2+掺杂改性,研究发现:随着Mg2+含量从0增加到2.0mol%,陶瓷试样居里峰(εmax降低,居里温度（Tc）向低温方向移动;当Mg2+含量大于2.0mol%时,陶瓷试样居里峰(εmax只是稍微的降低,而居里温度（Tc）几乎没有移动;当Mg2+含量大于1.0mol%时,陶瓷试样中三方相晶格畸变消失,使得低温区介电损耗得到改善。探索了Y2O3一次掺杂和二次掺杂对(Ba0.670Sr0.311)Bi0.006Mg0.010)(Ti0.99Sn0.01)O3陶瓷介电性能的影响。两种掺杂方式都使得陶瓷试样的介电常数居里峰(εmax增大,同时使陶瓷试样的介电常数表现出明显的弥散相变特征。这两种掺杂方式对陶瓷试样介电损耗的影响有一定程度的不同:Y2O3一次掺杂改性时,陶瓷试样在高温区的介电损耗与Y2O3掺杂量相关;Y2O3二次掺杂改性时,陶瓷试样在高温区的介电损耗得到明显改善,并且不随Y2O3含量的变化而改变。而后,通过分步法合成了(Ba0.68Sr0.311Bi0.006)(Ti0.99Sn0.01)O3 - (Bi0.5Na0.5)TiO3陶瓷。该陶瓷试样没有明显的介电常数居里峰(εmax,是一种混合物:由居里温度（Tc）不同的多种化合物总成。陶瓷试样在-25℃85℃温度范围内表现出较好的介电常数温度变化率（TCC）。对80wt.%(Ba0.68Sr0.311Bi0.006)(Ti0.99Sn0.01)O3 - 20wt.% (Bi0.5Na0.5)TiO3陶瓷试样进行Y2O3二次掺杂改性,研究发现:Y2O3掺杂量为0.5mol%时,陶瓷试样表现出了较高的介电常数,大约在3000左右。
吴凯卓[5]（2011）在《玻璃介质掺杂钛酸锶钡陶瓷的制备与性能研究》文中研究说明钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3，简称BST)是一类重要的电子陶瓷材料，属于非线性介电陶瓷，具有单一的钙钛矿型结构，它是由钛酸钡（BaTiO3）和钛酸锶（SrTiO3）形成的完全固熔体，兼具BaTiO3的高介电常数与SrTiO3的低损耗性和结构稳定的特点。通过改变材料的Ba/Sr比可以在相对较宽的范围内调整介电常数和居里温度，并且在一定程度上保证材料具有较好的介电常数-温度稳定性，因此，该材料在微波传输、信号处理、数据存储等领域具有引人瞩目的发展潜力和优势。本文以醋酸钡、醋酸锶、钛酸四丁酯为原料，以醋酸镝、硼酸三正丁酯、正硅酸乙酯为添加剂，采用溶胶-凝胶法制备了纯Ba0.6Sr0.4TiO3粉体及Dy-B-Si-O系玻璃介质掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3粉体，并分别在不同温度下烧结成瓷。利用X射线衍射仪、激光粒度分析仪，微机差热仪对纯Ba0.6Sr0.4TiO3粉体及Dy-B-Si-O系玻璃介质掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3粉体的物相组成、颗粒粒度、煅烧过程中的化学反应及能量变化进行了分析，利用扫描电子显微镜、自动元件分析仪等对纯Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷及Dy-B-Si-O系玻璃介质掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷的微观结构和介电性能进行了分析。研究结果表明：纯Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷的主晶相为钙钛矿结构，当Dy-B-Si-O系玻璃介质中B2O3-SiO2组分适量时，BST陶瓷形成钙钛矿主晶相，当B2O3-SiO2组分过量时，出现Ba2TiSi2O8第二相，且第二相随着B2O3-SiO2组分含量的增加而增加；添加Dy-B-Si-O系玻璃介质的BST陶瓷干凝胶的最佳煅烧温度为700℃，最佳烧结温度为1100℃，比纯BST陶瓷的煅烧温度与烧结温度分别降低了约100℃和150℃；Dy-B-Si-O系玻璃介质的掺杂提高了BST陶瓷的致密度、减小了陶瓷的颗粒粒度；随着Dy-B-Si-O系玻璃介质中Dy2O3组分含量的增加，介电常数增大，介电损耗先增大后减小；随着Dy-B-Si-O系玻璃介质中B2O3-SiO2组分含量的增加，BST陶瓷的介电常数呈先增大后减小的趋势，介电损耗先减小后增大，居里温度先向低温后向高温方向移动。
张晨[6]（2009）在《BST基温度稳定型高压电容器介质陶瓷的制备与研究》文中提出随着电子设备小型化及环保需求的不断推进,性能优越且环境友好的高压电容器元件的研制与应用势在必行。本文旨在于钛酸锶钡（BST）基陶瓷体系中获得具有高介电常数、低介电损耗、高耐压强度、低容温变化率的电容器介质材料。本实验在传统固相法基础上,创新性的引入二次配料工艺,首次成功制备了稀土元素氧化物RE2O3 （RE=Y、La、Nd、Dy）和Sb2O3掺杂的钛酸锶钡（BST）基介电陶瓷,分别系统研究了工艺条件和配方组成对该体系介电陶瓷性能的影响,发现在适当的煅烧温度、烧结温度及保温时间下,减小体系中Sr含量,增大RE2O3及Sb2O3掺杂量易于获得温度稳定性高的高压电容器陶瓷材料。借助X射线衍射（XRD）以及环境扫描电子显微镜（ESEM）分析了该体系的物相结构和微观形貌,结果表明随Sb2O3掺杂量增大该BST基介电陶瓷由钙钛矿结构单相化合物转变为细晶多相化合物,而改变Sr含量和RE2O3添加量该体系介电陶瓷的物相结构无显着变化。根据平均晶胞常数的变化,本文揭示了RE2O3和Sb2O3在BST钙钛矿结构中的取代特性,认为稀土元素离子RE3+应占据晶格A位,而Sb3+随掺杂量的增大由A位施主添加剂变为B位受主添加剂。依据取代特性首次建立了该陶瓷体系的缺陷模型。结合击穿理论以及展宽理论,探讨了Sb2O3在该BST基介电陶瓷中的改性机理,提出陶瓷气孔率以及电致应变所伴生的应力减小是Sb2O3提高BST基介电陶瓷体系耐压强度的主要原因,而相变扩散、固溶缓冲以及粒界缓冲效应的同时发生是Sb2O3增强体系温度稳定性的原因。1.6wt%Sb2O3掺杂的（Ba0.952Sr0.04La0.008）TiO3.004陶瓷在室温下具有高介电常数（εr=2326）、低介电损耗（ tanδ=0.0074）、高耐压强度（ E b=4.5 kV / mm）且其温度特性稳定（ΔC /C<±17%,-25 oC85 oC）,有望做为环境友好的温度稳定型介电材料应用于高压电容器行业。
曹雪娇[7]（2009）在《Ba1-xSrxTiO3基环保型陶瓷介质的掺杂与介电性能的研究》文中指出本论文利用BaTiO3的高介电常数和SrTiO3的低介电损耗,以Ba1-xSrxTiO3基陶瓷作为研究对象,分别研究了采用NiO、Bi2O3、CeO2掺杂对其介电性能的影响,并通过分析,揭示了NiO、CeO2、Bi2O3掺杂在Ba1-xSrxTiO3基中的掺杂机理。实验还研究了工艺条件,特别是烧结温度和保温时间对材料介电性能的影响。通过本文研究发现:当NiO被添加到Ba1-xSrxTiO3陶瓷中时,只有一少部分Ni2+离子进入晶格的B位取代Ti4+离子,导致试样晶格参数轻微增加,之后NiO主要在晶界附近聚集,形成BST/NiO复合材料。试样介电常数随NiO掺杂量的增加而下降,介电温谱显示含NiO试样具有弥散相变特性,且随掺杂量的增加,效果越明显,这也使试样介电温谱得到了很大改善。Bi2O3的掺杂主要分为两个阶段,先进行A位取代,在掺杂量超过0.6wt%后发生B位取代。通过掺杂Bi2O3与空白配方的比较可以知道,掺杂Bi2O3后可以明显达到压峰展宽的目的,且在温度高于30℃后,掺杂试样的介电损耗很平稳。所以适量的加入Bi2O3,可制得损耗低,温度稳定性好的介电材料。当CeO2掺杂入BST陶瓷中时,Ce4+在陶瓷基体中先发生B位取代,当Ce4+的掺杂量超过0.6wt%时,发生A位取代。当B位取代时,居里点下降,介电峰变宽,介电常数降低,介电损耗降低;随CeO2掺杂量增大,发生A位替代,介电损耗升高,其损耗形式主要是松弛极化损耗。Ce4+的掺杂可以使居里峰向更低的负温方向移动。适当的改变工艺条件,如烧结温度、保温时间等,能改善材料的介电性能。烧结温度过高或过低,保温时间过长或过短都会导致气孔排出不完全或发生二次结晶而导致材料性能恶化。
李萍[8]（2009）在《Ba1-xSrxTiO3系统无铅介质瓷的制备与性能研究》文中提出采用传统固相反应法以碳酸钡、碳酸锶和二氧化钛为原料,在1080℃首先合成了（Ba0.992-xSrxNd0.008）TiO3.004粉体,然后加入氧化锑、氧化镁和二氧化锰等掺杂剂,制备了Ba1-xSrxTiO3基陶瓷,烧成温度为1300℃1340℃,保温2小时。本文主要研究了SrCO3的加入量、氧化锑的掺杂量、碳酸钡和二氧化钛原料纯度以及工艺条件对Ba1-xSrxTiO3基陶瓷性能的影响。采用XRD测试了原料组成,在室温下,利用Automatic LCR Meter 4225测试了1kHz条件下试样的电容量C、介质损耗因数D和电阻率ρ,并测试了-20℃+85℃范围内试样的C,得到了试样介电常数随温度的变化曲线。实验结果表明,（一）Sb2O3掺杂,Sb3+首先进入A位,引起晶格畸变,可以有效的增加体系室温时的相对介电系数,并降低介质损耗,从而改善了材料的介电性能。随Sb2O3掺杂量增加,Sb3+开始进入B位,这时虽然材料的介电性能有所下降,但其介电-温度曲线自1.6wt%组成点开始渐渐地趋于平缓。（二）随SrCO3加入量的增加,试样的介电常数、损耗均减小,电阻率会增大;介电温度高温变化率会略微减小,低温变化率则显着增大。（三）工业纯原料TiO2-B因其中的杂质影响,对Ba1-xSrxTiO3基陶瓷有显着的压峰和展峰作用,其移峰作用并不明显。（四）工业纯原料BaCO3-B因其中的杂质影响,对Ba1-xSrxTiO3基陶瓷有显着的移峰作用,且会产生“双峰作用”。（五）通过调配TiO2-B和BaCO3-B比例及Sb2O3的掺杂量,得到了介电常数大于4000,介质损耗为0.009,高低温变化率均小于10%的无铅介质陶瓷。（六）讨论了多种工艺条件对试样介电性能的影响,主要包括烧结温度、成型压力和一次球磨时间。
王学荣,唐吉龙[9]（2009）在《(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷的制备及介电性能》文中进行了进一步梳理在对BaTiO3基电容器陶瓷掺杂改性的实验基础上就改善（Ba,Sr）TiO3电容器陶瓷介电性能做了大量实验研究.经测试结果分析表明,（Ba,Sr）TiO3基电容器陶瓷最佳烧结温度为1 350℃,由此温度烧结可获得最高介电常数为11 784及介电损耗为0.100的优质电容器陶瓷.结合陶瓷的显微结构SEM照片分析,探讨了添加Sr2+,Ca2+,Zr4+及稀土Dy3+离子对改善（Ba,Sr）TiO3基电容器陶瓷介电性能的机理.
吴思华[10]（2009）在《钛酸锶钡基高压陶瓷电容器材料的研究》文中研究指明钛酸锶钡是钛酸钡与钛酸锶形成的固溶体,简称BST,它是一种优良的热敏材料、电容器材料和铁电压电材料,具有高介电常数、低介电损耗、居里温度随组成改变以及介电常数随电场的非线性变化等特点,在超大规模动态存储器、微波调谐器等领域具有广阔的应用前景,成为集成器件领域最广泛研究的材料之一。本文采用正交设计实验研究了各组分对钛酸锶钡基中高压陶瓷电容器介电性能的影响,得到了影响该系统陶瓷电容器介电性能的主次因素。各因素水平影响其性能的趋势:影响介电常数的主次因素的顺序为Bi2O3·3TiO2、CaZrO3、Nb2O5、MgO;影响介质损耗的主次因素的顺序为MgO、CaZrO3、Bi2O3·3TiO2、Nb2O5;影响耐压强度的主次因素的顺序为CaZrO3、MgO、Bi2O3·3TiO2、Nb2O5,并得到了综合性能良好的瓷料配方。结果表明,在Ba0.6Sr0.4TiO3中加入8% Bi2O3·3TiO2、6% CaZrO3、0.6% Nb2O5和0.5% MgO时,其介电常数ε为3785、介质损耗tgδ为23×10-4、耐压强度Eb为11kv/mm;而在Ba0.6Sr0.4TiO3中加入8% Bi2O3·3TiO2、10% CaZrO3、0.2% Nb2O5和1% MgO时,其ε为3416、tgδ为30×10-4、Eb为13.5kv/mm。当Y2O3含量较小时,Y3+进入A位,会产生空位缺陷,使晶格强烈收缩,使系统的内应力增大,提高了介电常数。随着Y2O3含量的增加,Y3+进入B位取代Ti4+,可促使周围的Ti4+与O2-牢固地结合起来,使Ti4+移动困难,从而引起试样介电常数下降。同时Y2O3具有细化晶粒的作用,可以使材料形成一种晶粒细小而均匀致密的多晶结构,提高其耐压强度。CuO对Ba0.6Sr0.4TiO3体系的B位进行取代,Cu2+取代Ti4+属于受主掺杂,可以对施主的电价起补偿作用,抑制了Ti3+的形成。CuO是良好的助熔剂,适量的掺杂CuO可促进烧结过程中的液相传质,提高了致密度,使介质损耗略有降低,改善材料的耐压强度。采用水热法合成了Ba0.6Sr0.4TiO3超细粉体,其粒径大小分布均匀,粒径在200nm至300nm之间。并用水热法合成的Ba0.6Sr0.4TiO3粉体替换固相法合成的Ba0.6Sr0.4TiO3粉体,按照正交实验得到的最佳配方掺入CaZrO3、Bi2O3·3TiO2、Nb2O5、MgO改性物质,结果表明:水热法合成的Ba0.6Sr0.4TiO3粉体经掺杂改性后,降低了烧结温度,晶粒尺寸变小。由于晶粒尺寸的效应,其介电性能要优于固相法合成的Ba0.6Sr0.4TiO3粉体掺杂改性后的介电性能。
二、Dy_2O_3掺杂对(Ba,Sr)TiO_3基高压电容器陶瓷性能的影响（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、Dy_2O_3掺杂对(Ba,Sr)TiO_3基高压电容器陶瓷性能的影响（论文提纲范文）
（1）化合物掺杂BST基电容器陶瓷介电性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 铁电陶瓷材料概述 |
| 1.3 钙钛矿结构铁电体 |
| 1.4 钛酸锶钡(BST)陶瓷特性 |
| 1.5 BST陶瓷制备方法 |
| 1.5.1 固相法制备 |
| 1.5.2 化学共沉淀法 |
| 1.5.3 水热法 |
| 1.5.4 溶胶-凝胶法 |
| 1.6 BST电容器陶瓷基本电学性能 |
| 1.6.1 陶瓷介电常数 |
| 1.6.2 陶瓷介电损耗 |
| 1.6.3 介电温度稳定性 |
| 1.7 BST陶瓷改性机理 |
| 1.8 BST陶瓷研究进展 |
| 1.9 本课题研究内容 |
| 第二章 实验部分 |
| 2.1 实验原料及设备 |
| 2.1.1 实验所需原料 |
| 2.1.2 实验所需仪器设备 |
| 2.2 陶瓷制备工艺 |
| 2.3 性能表征 |
| 第三章 BaZrO_3、BaSnO_3、SrZrO_3掺杂对(Ba,Sr)TiO_3材料介电性能的影响 |
| 3.1 BaZrO_3掺杂对BST陶瓷结构及性能影响 |
| 3.1.1 BaZrO_3掺杂对BST陶瓷的物相和显微结构的影响 |
| 3.1.2 BaZrO_3掺杂对BST陶瓷的介电性能的影响 |
| 3.1.3 BaZrO_3掺杂对BST陶瓷容温特性的影响 |
| 3.1.4 BaZrO_3掺杂BST陶瓷样品电阻率 |
| 3.1.5 BaZrO_3掺杂BST陶瓷样品耐压强度 |
| 3.2 BaSnO_3掺杂对BST陶瓷结构及性能影响 |
| 3.2.1 BaSnO_3掺杂对BST陶瓷的物相和显微结构的影响 |
| 3.2.2 BaSnO_3掺杂对BST陶瓷的介电性能的影响 |
| 3.2.3 BaSnO_3掺杂对BST陶瓷容温特性的影响 |
| 3.2.4 BaSnO_3掺杂BST陶瓷样品电阻率 |
| 3.2.5 BaSnO_3掺杂BST陶瓷样品耐压强度 |
| 3.3 SrZrO_3掺杂对Ba_(0.71)Sr_(0.29)TiO_3陶瓷结构及性能影响 |
| 3.3.1 SrZrO_3掺杂对BST陶瓷的物相和显微结构的影响 |
| 3.3.2 SrZrO_3掺杂对BST陶瓷的介电性能的影响 |
| 3.3.3 SrZrO_3掺杂对BST陶瓷容温特性的影响 |
| 3.3.4 SrZrO_3掺杂BST陶瓷样品电阻率 |
| 3.3.5 SrZrO_3掺杂BST陶瓷样品耐压强度 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 CaSnO_3掺杂对Ba_(0.71)Sr_(0.29)TiO_3陶瓷结构及性能影响 |
| 4.1 CaSnO_3掺杂对BST陶瓷材料物相的影响 |
| 4.2 CaSnO_3掺杂BST陶瓷样品显微结构分析 |
| 4.3 CaSnO_3掺杂BST陶瓷的介电性能变化 |
| 4.4 CaSnO_3掺杂BST陶瓷样品容温特性 |
| 4.5 CaSnO_3掺杂BST陶瓷样品电阻率 |
| 4.6 CaSnO_3掺杂BST陶瓷样品耐压强度 |
| 4.7 本章小结 |
| 第五章 Bi_4Ti_3O_(12)、Bi_2(SnO_3)_3掺杂对Ba_(0.71)Sr_(0.29)TiO_3陶瓷结构及性能影响 |
| 5.1 Bi_4Ti_3O_(12)掺杂对BST陶瓷结构及性能影响 |
| 5.1.1 Bi_4Ti_3O_(12)掺杂BST陶瓷样品介电性能的分析 |
| 5.1.2 Bi_4Ti_3O_(12)掺杂BST陶瓷样品物相分析 |
| 5.1.3 Bi_4Ti_3O_(12)掺杂BST陶瓷样品显微结构分析 |
| 5.1.4 Bi_4Ti_3O_(12)掺杂BST陶瓷介电性能变化 |
| 5.1.5 Bi_4Ti_3O_(12)掺杂BST陶瓷样品容温特性 |
| 5.1.6 Bi_4Ti_3O_(12)掺杂BST陶瓷样品电阻率 |
| 5.1.7 Bi_4Ti_3O_(12)掺杂BST陶瓷样品耐压强度 |
| 5.2 Bi_2(SnO_3)_3掺杂对BST陶瓷结构及性能影响 |
| 5.2.1 Bi_2(SnO_3)_3掺杂BST陶瓷样品物相分析 |
| 5.2.2 Bi_2(SnO_3)_3掺杂BST陶瓷样品显微结构分析 |
| 5.2.3 Bi_2(SnO_3)_3掺杂BST介电性能变化 |
| 5.2.4 Bi_2(SnO_3)_3掺杂BST陶瓷样品容温特性 |
| 5.2.5 Bi_2(SnO_3)_3掺杂BST陶瓷样品电阻率 |
| 5.2.6 Bi_2(SnO_3)_3掺杂BST陶瓷样品耐压强度 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 La_2(ZrO_3)O_3掺杂对Ba_(0.71)Sr_(0.29)TiO_3陶瓷结构及性能影响 |
| 6.1 La_2(ZrO_3)_3掺杂对BST陶瓷材料物相的影响 |
| 6.2 La_2(ZrO_3)_3掺杂BST陶瓷样品显微结构分析 |
| 6.3 La_2(ZrO_3)_3掺杂BST陶瓷的介电性能变化 |
| 6.4 La_2(ZrO_3)_3掺杂BST陶瓷样品容温特性 |
| 6.5 La_2(ZrO_3)_3掺杂BST陶瓷样品电阻率 |
| 6.6 La_2(ZrO_3)_3掺杂BST陶瓷样品耐压强度 |
| 6.7 本章小结 |
| 第七章 MgNb_2O_6掺杂对Ba_(0.71)Sr_(0.29)TiO_3陶瓷结构及性能影响 |
| 7.1 MgNb_2O_6掺杂对BST陶瓷材料物相的影响 |
| 7.2 MgNb_2O_6掺杂BST陶瓷样品显微结构分析 |
| 7.3 MgNb_2O_6掺杂BST陶瓷的介电性能变化 |
| 7.4 MgNb_2O_6掺杂BST陶瓷样品容温特性 |
| 7.5 MgNb_2O_6掺杂BST陶瓷样品电阻率 |
| 7.6 MgNb_2O_6掺杂BST陶瓷样品耐压强度 |
| 7.7 本章小结 |
| 第八章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士期间发表的主要论文 |
（2）钛酸钡介电陶瓷制备方法及其掺杂改性研究进展（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 钛酸钡的制备方法 |
| 1.1 固相烧结法 |
| 1.2 溶胶-凝胶法 |
| 1.3 水热法 |
| 1.4 化学共沉淀法 |
| 1.5 其他方法 |
| 2 钛酸钡陶瓷的掺杂改性研究 |
| 2.1 单一氧化物的掺杂改性研究 |
| 2.2 两种及以上氧化物的掺杂改性研究 |
| 3 结语 |
（3）Nd2O3掺杂钛酸锶钡基陶瓷介电性能及微观形貌研究（论文提纲范文）
| 1 实 验 |
| 1.1 原料的制备 |
| 1.2 测试方法 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 Nd2O3对 (Ba0.7Sr0.3) TiO3基陶瓷微观形貌的影响 |
| 2.2 Nd2O3对 (Ba0.7Sr0.3TiO3基陶瓷介电性能的影响 |
| 2.3 烧结时间对 (Ba0.7Sr0.3) TiO3基陶瓷微观形貌的影响 |
| 2.4 烧结时间对 (Ba0.7Sr0.3) TiO3基陶瓷介电性能的影响 |
| 3 结论 |
（4）无铅电容器陶瓷介质材料掺杂改性研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 文献综述 |
| 1.1 前言 |
| 1.2 无铅电子陶瓷介质材料研究现状 |
| 1.3 BaTiO_3 基陶瓷介质材料研究 |
| 1.3.1 BaTiO_3的晶体结构 |
| 1.3.2 BaTiO_3基陶瓷介质材料的改性 |
| 1.4 (Bi_(0.5)Na_(0.5))TiO_3 基陶瓷介质材料研究 |
| 1.4.1 (Bi_(0.5)Na_(0.5))TiO_3 基陶瓷介质材料的改性 |
| 1.5 CaCu_3Ti_4O_(12) 陶瓷介质材料研究 |
| 1.5.1 CaCu_3Ti_4O_(12) 材料的晶体结构、介电性能和制备 |
| 1.5.2 CaCu_3Ti_4O_(12) 陶瓷材料的改性研究 |
| 第二章 制备工艺与测试 |
| 2.1 制备工艺 |
| 2.1.1 实验仪器 |
| 2.1.2 实验原料 |
| 2.1.3 配方组成 |
| 2.1.4 制备工艺流程 |
| 2.2 陶瓷样品的结构及性能表征 |
| 2.2.1 物相结构分析 |
| 2.2.2 显微结构分析 |
| 2.2.3 介电性能测试 |
| 2.2.4 电导测试 |
| 第三章 Bi~(3+)、Na+、Mg~(2+)掺杂改性(Ba_(0.68)Sr_(0.32))(Ti_(0.99)Sn_(0.01))O_3陶瓷 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 Bi~(3+)添加的(Ba_(0.68)Sr_(0.32))(Ti_(0.99)Sn_(0.01))O_3 陶瓷 |
| 3.2.1 晶体结构 |
| 3.2.2 微观形貌 |
| 3.2.3 介电性能 |
| 3.3 Mg~(2+)添加的(Ba_(0.68)Sr_(0.311)Bi_(0.006))(Ti_(0.99)Sn_(0.01))O_3 陶瓷 |
| 3.3.1 烧结温度对介电性能的影响 |
| 3.3.2 晶体结构 |
| 3.3.3 微观形貌 |
| 3.3.4 介电性能-温度关系 |
| 3.3.5 弥散相变特征 |
| 3.3.6 高温电导特性 |
| 3.4 Na~+添加的(Ba_(0.68)Sr_(0.311)Bi_(0.006))(Ti_(0.99)Sn_(0.01))O_3 陶瓷 |
| 3.4.1 晶体结构 |
| 3.4.2 微观形貌 |
| 3.4.3 介电性能 |
| 3.5 Mg~(2+)添加的(Ba_(0.677)Sr_(0.311)Bi_(0.006)Na_(0.006))(Ti_(0.99)Sn_(0.01))O_3 陶瓷 |
| 3.5.1 烧结温度对介电性能的影响 |
| 3.5.2 晶体结构 |
| 3.5.3 微观形貌 |
| 3.5.4 介电性能-温度关系 |
| 3.5.5 弥散相变特征 |
| 3.5.6 高温电导特性 |
| 3.6 小结 |
| 第四章 Y~(3+)掺杂改性(Ba_(0.670)Sr_(0.311)Bi_(0.006)Mg_(0.010))(Ti_(0.99)Sn_(0.01))O_3陶瓷 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 (Ba_(0.670)Sr_(0.311)Bi_(0.006-x)Y_xMg_(0.010))(Ti_(0.99)Sn_(0.01))O_3 陶瓷 |
| 4.2.1 烧结温度对介电性能的影响 |
| 4.2.2 晶体结构 |
| 4.2.3 微观形貌 |
| 4.2.4 介电性能-温度关系 |
| 4.2.5 弥散相变特征 |
| 4.2.6 高温电导性 |
| 4.3 Y_2O_3 二次掺杂的(Ba_(0.670)Sr_(0.311)Bi_(0.006)Mg_(0.010))(Ti_(0.99)Sn_(0.01))O_3 |
| 4.3.1 烧结温度对介电性能的影响 |
| 4.3.2 晶体结构 |
| 4.3.3 微观形貌 |
| 4.3.4 介电性能-温度关系 |
| 4.3.5 弥散相变特征 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 (Ba_(0.68)Sr_(0.311)Bi_(0.006))(Ti_(0.99)Sn_(0.01))O_3 –(Bi_(0.5)Na_(0.5))TiO_3陶瓷及Y_2O_3掺杂 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 (Ba_(0.68)Sr_(0.311)Bi_(0.006))(Ti_(0.99)Sn_(0.01))O_3 - (Bi_(0.5)Na_(0.5))TiO_3陶瓷 |
| 5.2.1 晶体结构 |
| 5.2.2 微观形貌 |
| 5.2.3 介电性能-温度关系 |
| 5.2.4 弥散相变特征 |
| 5.3 Y_2O_3 二次掺杂改性20BNT 陶瓷 |
| 5.3.1 晶体结构 |
| 5.3.2 微观形貌 |
| 5.3.3 介电性能-温度关系 |
| 5.3.4 弥散相变特征 |
| 5.4 小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 发表论文情况 |
| 致谢 |
（5）玻璃介质掺杂钛酸锶钡陶瓷的制备与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 引言 |
| 第二章 文献综述 |
| 2.1 BST 陶瓷的结构与性能 |
| 2.1.1 BST 材料的晶体结构 |
| 2.1.2 BST 材料的性能 |
| 2.1.2.1 BST 材料的电场特性 |
| 2.1.2.2 BST 材料的频率特性 |
| 2.1.2.3 BST 材料的晶粒尺度效应 |
| 2.2 BST 陶瓷粉体的制备方法 |
| 2.2.1 溶胶-凝胶法 |
| 2.2.1.1 溶胶-凝胶法基本原理 |
| 2.2.1.2 溶胶形成方法 |
| 2.2.1.3 凝胶形成方法 |
| 2.2.1.4 溶胶-凝胶法的优点 |
| 2.2.1.5 溶胶-凝胶法的缺点 |
| 2.2.1.6 溶胶-凝胶法在 BST 陶瓷制备中的应用 |
| 2.2.2 固相法 |
| 2.2.3 水热合成法 |
| 2.2.4 化学沉淀法 |
| 2.2.4.1 直接沉淀法 |
| 2.2.4.2 共沉淀法 |
| 2.3 BST 材料的掺杂改性研究 |
| 2.3.1 BST 材料的掺杂取代机理 |
| 2.3.2 BST 材料的掺杂类型 |
| 2.3.2.1 等价取代掺杂 |
| 2.3.2.2 不等价取代掺杂 |
| 2.3.3 掺杂工艺对 BST 材料性能的影响 |
| 2.3.4 稀土元素对 BST 材料的掺杂改性研究 |
| 2.3.5 玻璃介质对 BST 材料的掺杂改性研究 |
| 2.3.6 氧化物对 BST 材料的掺杂改性研究 |
| 2.4 BST 材料的应用 |
| 2.4.1 BST 材料在 DRAMs 中的应用 |
| 2.4.2 BST 材料在热释电红外探测器中的应用 |
| 2.4.3 BST 材料在铁电微波移相器中的应用 |
| 2.4.4 BST 材料在其它领域中的应用 |
| 第三章 实验过程与测试 |
| 3.1 实验仪器及药品 |
| 3.1.1 实验仪器 |
| 3.1.2 实验药品 |
| 3.2 实验过程 |
| 3.2.1 溶胶-凝胶法制备陶瓷样品 |
| 3.2.1.1 Ba-Sr-Ti 前躯体溶液的制备 |
| 3.2.1.2 Dy-B-Si-O 系玻璃介质掺杂 Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3陶瓷的制备 |
| 3.2.1.3 陶瓷样品的制备 |
| 3.2.2 BST 陶瓷样品测试前预处理 |
| 3.3 实验测试 |
| 3.3.1 BST 陶瓷物相、形貌及电学性能表征 |
| 3.3.2 粉体颗粒粒度的测定 |
| 3.3.3 真密度的测定 |
| 第四章 结果与讨论 |
| 4.1 BST 粉体的研究 |
| 4.1.1 BST 粉体干凝胶的差热分析 |
| 4.1.1.1 纯 BST 粉体干凝胶的差热分析 |
| 4.1.1.2 Dy_2O_3组分变化的 BST 粉体干凝胶的差热分析 |
| 4.1.2 BST 粉体干凝胶的 XRD 分析 |
| 4.1.2.1 纯 BST 粉体干凝胶的 XRD 分析 |
| 4.1.2.2 Dy_2O_3组分变化的 BST 陶瓷干凝胶的 XRD 分析 |
| 4.1.3 BST 粉体的煅烧温度升温制度曲线 |
| 4.1.4 BST 粉体颗粒粒度的分析 |
| 4.1.4.1 纯 BST 粉体颗粒粒度的分析 |
| 4.1.4.2 Dy_2O_3组分变化的 BST 陶瓷粉体粒度的分析 |
| 4.2 BST 陶瓷的研究 |
| 4.2.1 BST 陶瓷烧结温度的分析 |
| 4.2.1.1 纯 BST 陶瓷烧结温度的分析 |
| 4.2.1.2 Dy_2O_3组分变化的 BST 陶瓷烧结温度的研究 |
| 4.2.1.3 纯 BST 陶瓷与玻璃介质掺杂 BST 陶瓷烧结温度的对比 |
| 4.2.2 BST 陶瓷物相结构的分析 |
| 4.2.2.1 纯 BST 陶瓷物相结构的分析 |
| 4.2.2.2 B_2O_3-SiO_2组分变化的 BST 陶瓷物相结构的分析 |
| 4.2.3 BST 陶瓷微观结构的分析 |
| 4.2.3.1 纯 BST 陶瓷微观结构的分析 |
| 4.2.3.2 Dy_2O_3组分变化的 BST 陶瓷微观结构的分析 |
| 4.2.3.3 B_2O_3-SiO_2组分变化的 BST 陶瓷微观结构的分析 |
| 4.3 BST 陶瓷介电性能的分析 |
| 4.3.1 Dy_2O_3组分变化掺杂的 BST 陶瓷介电性能的研究 |
| 4.3.2 B_2O_3-SiO_2组分变化的 BST 陶瓷的介电性能的研究 |
| 第五章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录 攻读硕士期间公开发表的论文 |
（6）BST基温度稳定型高压电容器介质陶瓷的制备与研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 铁电体概述 |
| 1.1.1 铁电体的研究进展 |
| 1.1.2 铁电体的宏观效应 |
| 1.2 钙钛矿型铁电体 |
| 1.2.1 钛酸铋钠铁电体 |
| 1.2.2 铌酸盐铁电体 |
| 1.2.3 钛酸钡铁电体 |
| 1.3 电介质陶瓷的基本电学性能及极化、击穿机理 |
| 1.3.1 介电常数 |
| 1.3.2 介电损耗 |
| 1.3.3 电导率 |
| 1.3.4 绝缘强度 |
| 1.3.5 电介质陶瓷的极化机理 |
| 1.3.6 电介质陶瓷的击穿机理 |
| 1.4 钛酸钡介电陶瓷的研究 |
| 1.4.1 钛酸钡粉体的制备 |
| 1.4.2 钛酸钡介电陶瓷的改性 |
| 1.5 BST介电陶瓷的研究 |
| 1.5.1 BST陶瓷的相变 |
| 1.5.2 BST陶瓷的介电性能 |
| 1.5.3 BST介电陶瓷的改性 |
| 1.6 课题的提出 |
| 第二章 BST基介电陶瓷的制备与测试 |
| 2.1 BST基介电陶瓷的制备 |
| 2.1.1 制备BST基介电陶瓷的主要原料 |
| 2.1.2 制备BST基介电陶瓷的仪器设备 |
| 2.1.3 制备BST基介电陶瓷的工艺过程 |
| 2.2 BST基介电陶瓷的分析与测试 |
| 2.2.1 BST基陶瓷的微观结构及形貌分析 |
| 2.2.2 BST基陶瓷的介电性能测试 |
| 第三章 工艺条件对BST基介电陶瓷的影响 |
| 3.1 煅烧温度对BST基介电陶瓷的影响 |
| 3.1.1 不同煅烧温度BST基粉体的XRD分析 |
| 3.1.2 煅烧温度对BST基陶瓷介电性能的影响 |
| 3.2 烧结温度对BST基介电陶瓷的影响 |
| 3.2.1 不同烧结温度BST基陶瓷的XRD分析 |
| 3.2.2 烧结温度对BST基陶瓷介电性能的影响 |
| 3.3 保温时间对BST基介电陶瓷的影响 |
| 3.3.1 不同保温时间BST基陶瓷的SEM分析 |
| 3.3.2 保温时间对BST基陶瓷介电性能的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 BST基介电陶瓷的改性机理 |
| 4.1 BST基介电陶瓷居里峰展宽机理 |
| 4.1.1 相变扩散型展宽机理 |
| 4.1.2 固溶缓冲型展宽机理 |
| 4.1.3 粒界缓冲型展宽机理 |
| 4.2 BST基介电陶瓷居里峰移动机理 |
| 第五章 (Ba_(1-x-y)Sr_xLa_y)TiO_(3+y/2)基介电陶瓷的结构与性能 |
| 5.1 (Ba_(0.992-x)Sr_xY_(0.008))TiO_(3.004) 基介电陶瓷的结构与性能 |
| 5.1.1 (Ba_(0.992-x)Sr_xY_(0.008))TiO_(3.004) 基介电陶瓷的XRD分析 |
| 5.1.2 (Ba_(0.992-x)Sr_xY_(0.008))TiO_(3.004) 基介电陶瓷的性能 |
| 5.2 Ba_(0.74-y)Sr_(0.26)Y_y)TiO_(3+y/2) 基介电陶瓷的结构与性能 |
| 5.2.1 Ba_(0.74-y)Sr_(0.26)Y_y)TiO_(3+y/2) 基介电陶瓷的XRD分析 |
| 5.2.2 Ba_(0.74-y)Sr_(0.26)Y_y)TiO_(3+y/2) 基介电陶瓷的性能 |
| 5.3 Sb_2O_3 掺杂(Ba_(0.732)Sr_(0.26)Y_(0.008))TiO_(3.004) 基介电陶瓷的结构与性能 |
| 5.3.1 Sb_2O_3 掺杂(Ba_(0.732)Sr_(0.26)Y_(0.008))TiO_(3.004) 基介电陶瓷的XRD分析 |
| 5.3.2 Sb_2O_3 掺杂(Ba_(0.732)Sr_(0.26)Y_(0.008))TiO_(3.004) 基介电陶瓷的微观形貌 |
| 5.3.3 Sb_2O_3 掺杂(Ba_(0.732)Sr_(0.26)Y_(0.008))TiO_(3.004) 基介电陶瓷的性能 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 (Ba_(1-x-y)Sr_xLa_y)TiO_(3+y/2)基介电陶瓷的结构与性能 |
| 6.1 (Ba(0.992-x)Sr_xLa_(0.008))TiO_(3.004) 基介电陶瓷的结构与性能 |
| 6.1.1 (Ba(0.992-x)Sr_xLa_(0.008))TiO_(3.004) 基介电陶瓷的XRD分析 |
| 6.1.2 (Ba(0.992-x)Sr_xLa_(0.008))TiO_(3.004) 基介电陶瓷的性能 |
| 6.2 (Ba_(0.74)Sr_(0.26)Lad_y)TiO_(3+y/2) 基介电陶瓷的结构与性能 |
| 6.2.1 (Ba_(0.74)Sr_(0.26)Lad_y)TiO_(3+y/2) 基介电陶瓷的XRD分析 |
| 6.2.2 (Ba_(0.74)Sr_(0.26)Lad_y)TiO_(3+y/2) 基介电陶瓷的性能 |
| 6.3 Sb_2O_3 掺杂(Ba_(0.732)Sr_(0.26)La_(0.008))TiO_(3.004) 基介电陶瓷的结构与性能 |
| 6.3.1 Sb_2O_3掺杂(Ba_(0.732)Sr_(0.26)La_(0.008))TiO_(3.004)基介电陶瓷的XRD分析 |
| 6.3.2 Sb_2O_3 掺杂(Ba_(0.732)Sr_(0.26)La_(0.008))TiO_(3.004) 基介电陶瓷的微观形貌 |
| 6.3.3 Sb_2O_3 掺杂(Ba_(0.732)Sr_(0.26)La_(0.008))TiO_(3.004) 基介电陶瓷的性能 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 (Ba_(1-x-y)Sr_xNd_y)TiO_(3+y/2)基介电陶瓷的结构与性能 |
| 7.1 (Ba_(0.992-x)Sr_xNd_(0.008))TiO_(3.004) 基介电陶瓷的结构与性能 |
| 7.1.1 (Ba_(0.992-x)Sr_xNd_(0.008))TiO_(3.004) 基介电陶瓷的XRD分析 |
| 7.1.2 (Ba_(0.992-x)Sr_xNd_(0.008))TiO_(3.004) 基介电陶瓷的性能 |
| 7.2 (Ba_(0.74)Sr_(0.26)Lad_y)TiO_(3+y/2) 基介电陶瓷的结构与性能 |
| 7.2.1 (Ba_(0.74)Sr_(0.26)Lad_y)TiO_(3+y/2) 基介电陶瓷的XRD分析 |
| 7.2.2 (Ba_(0.74)Sr_(0.26)Lad_y)TiO_(3+y/2) 基介电陶瓷的性能 |
| 7.3 Sb_2O_3 掺杂(Ba_(0.732)Sr_(0.26)Nd_(0.008))TiO_(3.004) 基介电陶瓷的结构与性能 |
| 7.3.1 Sb_2O_3掺杂(Ba_(0.732)Sr_(0.26)Nd_(0.008))TiO_(3.004)基介电陶瓷的XRD分析 |
| 7.3.2 Sb_2O_3掺杂(Ba_(0.732)Sr_(0.26)Nd_(0.008))TiO_(3.004)基介电陶瓷的微观形貌 |
| 7.3.3 Sb_2O_3 掺杂(Ba_(0.732)Sr_(0.26)Nd_(0.008))TiO_(3.004) 基介电陶瓷的性能 |
| 7.4 本章小结 |
| 第八章 (Ba_(1-x-y)Sr_xDy_y)TiO_(3+y/2)基介电陶瓷的结构与性能 |
| 8.1 (Ba_(0.992-x)Sr_xDy_(0.008))TiO_(3.004) 基介电陶瓷的结构与性能 |
| 8.1.1 (Ba_(0.992-x)Sr_xDy_(0.008))TiO_(3.004) 基介电陶瓷的XRD分析 |
| 8.1.2 (Ba_(0.992-x)Sr_xDy_(0.008))TiO_(3.004) 基介电陶瓷的性能 |
| 8.2 (Ba_(0.74)Sr_(0.26)Dy_y)TiO_(3+y/2) 基介电陶瓷的结构与性能 |
| 8.2.1 (Ba_(0.74)Sr_(0.26)Dy_y)TiO_(3+y/2) 基介电陶瓷的XRD分析 |
| 8.2.2 (Ba_(0.74)Sr_(0.26)Dy_y)TiO_(3+y/2) 基介电陶瓷的性能 |
| 8.3 Sb_2O_3 掺杂(Ba_(0.732)Sr_(0.26)Dy_(0.008))TiO_(3.004) 基介电陶瓷的结构与性能 |
| 8.3.1 Sb_2O_3掺杂(Ba_(0.732)Sr_(0.26)Dy_(0.008))TiO_(3.004)基介电陶瓷的XRD分析 |
| 8.3.2 Sb_2O_3掺杂(Ba_(0.732)Sr_(0.26)Dy_(0.008))TiO_(3.004)基介电陶瓷的微观形貌 |
| 8.3.3 Sb_2O_3 掺杂(Ba_(0.732)Sr_(0.26)Dy_(0.008))TiO_(3.004) 基介电陶瓷的性能 |
| 8.4 本章小结 |
| 第九章 BST基介电陶瓷的缺陷模型 |
| 9.1 RE_2O_3 掺杂BST介电陶瓷的缺陷模型 |
| 9.2 Sb_2O_3 掺杂BST基介电陶瓷的缺陷模型 |
| 第十章 结论 |
| 参考文献 |
| 发表论文和科研情况说明 |
| 致谢 |
（7）Ba1-xSrxTiO3基环保型陶瓷介质的掺杂与介电性能的研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.2 无铅电子陶瓷介质材料发展现状 |
| 1.2.1 BaTiO_3 系陶瓷介质材料 |
| 1.2.2 SrTiO_3 系陶瓷介质材料 |
| 1.2.3 (Ba,Sr)TiO_3 基陶瓷介质材料 |
| 1.2.4 (Bi_(0.5)Na_(0.5))TiO_3 基陶瓷介质材料 |
| 1.2.5 NaNbO_3 基陶瓷介质材料 |
| 1.2.6 钨青铜结构化合物 |
| 1.2.7 反铁电陶瓷介质材料 |
| 1.2.8 含铋层状结构化合物 |
| 1.3 BaTiO_3 基陶瓷介质材料概述 |
| 1.3.1 BaTiO_3 晶体的结构 |
| 1.3.2 BaTiO_3 晶体的介电常数 |
| 1.3.3 BaTiO_3 晶体的介电损耗 |
| 1.3.4 BaTiO_3 晶体的电阻 |
| 1.3.5 BaTiO_3 晶体的电击穿强度 |
| 1.3.6 BaTiO_3 系电子陶瓷粉体的制备方法 |
| 1.4 电容器制造工艺 |
| 1.4.1 电容器结构 |
| 1.4.2 成型工艺 |
| 1.4.3 烧成工艺 |
| 1.4.4 电极工艺 |
| 1.5 钛酸钡系介质材料的掺杂改性 |
| 1.5.1 BaTiO_3 的A 位置换改性 |
| 1.5.2 BaTiO_3 的B 位置换改性 |
| 1.5.3 稀土元素掺杂对BaTiO_3 系介质材料的影响 |
| 第二章 实验方案设计与研究方法 |
| 2.1 实验药品和主要仪器 |
| 2.1.1 原料规格与配方 |
| 2.1.2 实验仪器与设备 |
| 2.2 实验主要工艺流程和说明 |
| 2.3 实验设计与方案 |
| 第三章 结果与讨论 |
| 3.1 NiO 的加入对(Ba,Sr)TiO_3 材料介电性能的影响 |
| 3.1.1 NiO 的掺杂量对试样微观结构与形貌的影响 |
| 3.1.2 NiO 的掺杂量对试样介电常数的影响 |
| 3.1.3 NiO 的掺杂量对试样介电损耗的影响 |
| 3.1.4 NiO 的掺杂量对试样居里温度的影响 |
| 3.1.5 NiO 的掺杂量对试样介电常数-温度特性的影响 |
| 3.1.6 NiO 的掺杂量对试样介电损耗-温度特性的影响 |
| 3.1.7 掺杂NiO 试样的弥散性能 |
| 3.2 Bi_2O_3 的加入对(Ba,Sr)TiO_3 材料介电性能的影响 |
| 3.2.1 Bi_2O_3 的掺杂量对试样介电常数的影响 |
| 3.2.2 Bi_2O_3 的掺杂量对试样介电损耗的影响 |
| 3.2.3 Bi_2O_3 的掺杂量对试样居里温度的影响 |
| 3.2.4 Bi_2O_3 的掺杂量对试样介电常数-温度特性的影响 |
| 3.2.5 Bi_2O_3 的掺杂量对试样介电损耗-温度特性的影响 |
| 3.3 CeO_2 的加入对(Ba,Sr)TiO_3 材料介电性能的影响 |
| 3.3.1 CeO_2 的掺杂量对试样介电常数的影响 |
| 3.3.2 CeO_2 的掺杂量对试样介电损耗的影响 |
| 3.3.3 CeO_2 的掺杂量对试样居里温度的影响 |
| 3.4 工艺条件对(Ba,Sr)TiO_3 材料介电性能的影响 |
| 3.4.1 烧结温度对钛酸锶钡材料介电性能的影响 |
| 3.4.2 保温时间对钛酸锶钡材料介电性能的影响 |
| 第四章 结论 |
| 参考文献 |
| 发表论文和科研情况说明 |
| 致谢 |
（8）Ba1-xSrxTiO3系统无铅介质瓷的制备与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 第一章 文献综述 |
| 1.1 课题的研究背景 |
| 1.2 无铅电子陶瓷介质材料发展现状 |
| 1.2.1 BaTiO_3 系介质陶瓷材料 |
| 1.2.2 SrTiO_3 系介质陶瓷材料 |
| 1.2.3 (Ba，Sr)TiO_3 基陶瓷材料 |
| 1.2.4 (Bi0.5Na0.5) TiO_3 基陶瓷介质体系 |
| 1.2.5 NaN603 基陶瓷介质体系 |
| 1.2.6 反铁电陶瓷介质材料 |
| 1.3 BaTiO_3 基陶瓷介质材料概述 |
| 1.3.1 BaTiO_3 晶体的结构 |
| 1.3.2 BaTiO_3 陶瓷的介电常数 |
| 1.3.3 BaTiO_3 陶瓷的介电损耗 |
| 1.3.4 BaTiO_3 陶瓷的电阻 |
| 1.3.5 BaTiO_3 陶瓷的电击穿强度 |
| 1.4 钛酸钡系介质材料的掺杂改性 |
| 1.4.1 BaTiO_3 的A位置换改性 |
| 1.4.2 BaTiO_3 的B位置换改性 |
| 1.4.3 稀土元素掺杂对BaTiO_3 系介质材料的影响 |
| 1.5 钙钛矿型铁电体的宏观效应及应用 |
| 1.5.1 介电响应 |
| 1.5.2 压电效应 |
| 1.5.3 热电效应 |
| 1.6 钛酸钡系电子陶瓷粉体的制备方法 |
| 1.6.1 草酸盐共沉淀法 |
| 1.6.2 水热法 |
| 1.6.3 溶胶－凝胶法 |
| 1.7 制造工艺 |
| 1.7.1 电容器结构 |
| 1.7.2 成型工艺 |
| 1.7.3 烧成工艺 |
| 1.7.4 电极制备工艺 |
| 1.8 课题的提出 |
| 第二章 实验方案设计与研究方法 |
| 2.1 实验药品和主要仪器 |
| 2.1.1 原料规格及配方 |
| 2.1.2 实验仪器与设备 |
| 2.2 实验主要工艺流程和说明 |
| 2.2.1 配料 |
| 2.2.2 球磨及烘干 |
| 2.2.3 预合成 |
| 2.2.4 成型 |
| 2.2.5 烧成 |
| 2.2.6 电极制备 |
| 2.2.7 性能测试 |
| 2.3 实验设计与方案 |
| 第三章 结果与讨论 |
| 3.1 Sb_2O_3 掺杂量对钛酸锶钡材料介电性能的影响 |
| 3.1.1 确定烧结温度 |
| 3.1.2 Sb_2O_3 掺杂量对介电常数的影响 |
| 3.1.3 Sb_2O_3 掺杂量对介电损耗的影响 |
| 3.1.4 Sb_2O_3 掺杂量对电阻率的影响 |
| 3.1.5 Sb_2O_3 掺杂量对介电常数温度变化率(电容变化率)的影响 |
| 3.2 SrCO_3 的加入量对钛酸锶钡材料介电性能的影响 |
| 3.2.1 SrCO_3 的加入量量对介电常数的影响 |
| 3.2.2 SrCO_3 的加入量对介电损耗的影响 |
| 3.2.3 SrCO_3 加入量对电阻率的影响 |
| 3.2.4 SrCO_3 加入量对介电常数温度变化率的影响 |
| 3.2.5 SrCO_3 加入量对介电常数温度特性的影响 |
| 3.3 原料纯度对钛酸锶钡材料介电性能的影响 |
| 3.3.1 TiO_2 纯度对钛酸锶钡材料介电性能的影响 |
| 3.3.2 BaCO_3 纯度对钛酸锶钡材料介电性能的影响 |
| 3.3.3 Sb_2O_3 掺杂量对钛酸锶钡材料介电性能的影响 |
| 3.4 工艺条件对钛酸锶钡材料介电性能的影响 |
| 3.4.1 烧结温度对钛酸锶钡材料介电性能的影响 |
| 3.4.2 成型压力对钛酸锶钡材料性能的影响 |
| 3.4.3 球磨时间对钛酸锶钡材料性能的影响 |
| 第四章 结论 |
| 参考文献 |
| 发表论文和参加科研情况说明 |
| 致谢 |
（9）(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷的制备及介电性能（论文提纲范文）
| 1 实验部分 |
| 1.1 实验样品的配方及样品的制备 |
| 1.2 测 试 |
| 2 实验结果 |
| 2.1 温度对样品介电常数及介电损耗的影响 |
| 2.2 样品的扫描电镜分析 |
| 2.3 样品的XRD分析 |
| 3 分析与讨论 |
| 3.1 添加Sr2+离子对 (Ba, Sr) TiO3介电性能的影响 |
| 3.2 Ca2+, Zr4+掺杂对 (Ba, Sr) TiO3基陶瓷介电性能的影响 |
| 3.3 Dy3+离子对 (Ba, Sr) TiO3介电性能的影响 |
| 3.4 烧结温度对介电性能的影响 |
| 4 结 论 |
（10）钛酸锶钡基高压陶瓷电容器材料的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 文献综述 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 陶瓷电容器材料的发展简史 |
| 1.3 陶瓷电容器的分类及特性 |
| 1.3.1 非铁电陶瓷电容器 |
| 1.3.2 铁电陶瓷电容器 |
| 1.3.3 反铁电陶瓷电容器 |
| 1.3.4 半导体陶瓷电容器 |
| 1.3.5 多层陶瓷电容器 |
| 1.4 高压陶瓷电容器介质材料的结构与性能 |
| 1.4.1 钙钛矿结构 |
| 1.4.2 钙钛矿型结构与性能 |
| 1.4.3 高压陶瓷电容器介质材料 |
| 1.4.4 高压陶瓷电容器的制造工艺 |
| 1.4.5 高压陶瓷电容器的击穿形式与机理 |
| 1.4.6 高压陶瓷电容器的应用及发展趋势 |
| 1.5 选题依据和研究内容 |
| 第二章 实验部分 |
| 2.1 实验原料及设备 |
| 2.2 陶瓷材料的测试分析 |
| 2.2.1 陶瓷材料的微观结构分析 |
| 2.2.2 介电性能的测试 |
| 2.3 样品制备 |
| 2.4 实验工艺流程 |
| 2.5 实验配方设计 |
| 第三章 结果与讨论 |
| 3.1 正交实验 |
| 3.1.1 实验结果 |
| 3.1.2 实验结果处理与分析 |
| 3.1.3 讨论 |
| 3.2 掺杂 Y_2O_3 和 CUO 对钛酸锶钡基陶瓷介电性能的影响 |
| 3.2.1 Y_2O_3对钛酸锶钡基陶瓷介电性能的影响 |
| 3.2.2 CuO 对钛酸锶钡基陶瓷介电性能的影响 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 水热法合成钛酸锶钡粉体及掺杂改性的研究 |
| 4.1 水热法简介 |
| 4.1.1 水热反应的基本类型 |
| 4.1.2 水热反应动力学及晶体生长机理 |
| 4.1.3 水热法制备粉体的特点 |
| 4.1.4 水热法合成粉体的影响因素 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验所用试剂及设备 |
| 4.2.2 性能测试 |
| 4.2.3 样品制备 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 反应温度对钛酸锶钡粉体晶体结构的影响 |
| 4.3.2 保温时间对钛酸锶钡粉体粒径的影响 |
| 4.4 水热合成钛酸锶钡粉体掺杂改性的研究 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在学期间发表的学术论文与研究成果 |
四、Dy_2O_3掺杂对(Ba,Sr)TiO_3基高压电容器陶瓷性能的影响（论文参考文献）
- [1]化合物掺杂BST基电容器陶瓷介电性能研究[D]. 陈磊. 江苏大学, 2017(05)
- [2]钛酸钡介电陶瓷制备方法及其掺杂改性研究进展[J]. 焦更生. 材料导报, 2016(S1)
- [3]Nd2O3掺杂钛酸锶钡基陶瓷介电性能及微观形貌研究[J]. 张晨,徐新进,肖佳楠. 江苏科技大学学报(自然科学版), 2012(05)
- [4]无铅电容器陶瓷介质材料掺杂改性研究[D]. 徐世国. 天津大学, 2011(06)
- [5]玻璃介质掺杂钛酸锶钡陶瓷的制备与性能研究[D]. 吴凯卓. 大连工业大学, 2011(06)
- [6]BST基温度稳定型高压电容器介质陶瓷的制备与研究[D]. 张晨. 天津大学, 2009(12)
- [7]Ba1-xSrxTiO3基环保型陶瓷介质的掺杂与介电性能的研究[D]. 曹雪娇. 天津大学, 2009(S2)
- [8]Ba1-xSrxTiO3系统无铅介质瓷的制备与性能研究[D]. 李萍. 天津大学, 2009(S2)
- [9](Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷的制备及介电性能[J]. 王学荣,唐吉龙. 河北师范大学学报(自然科学版), 2009(01)
- [10]钛酸锶钡基高压陶瓷电容器材料的研究[D]. 吴思华. 江西理工大学, 2009(S2)